ҮЙЛЧИЛГЭЭ
Дело клиента
2024.1.5 Глубокая очистка теллура, цинка и кадмия для применения в электронике. 2022 г. В. Н. Абрютин, Е. В. Давыдова, М. А. Егоров, И. И. Марончук. , Д. Д. Саникович. ООО «АДВ-Инжиниринг», . 1-й...
узнать больше
Глубокая очистка теллура, цинка и кадмия для применения в электронике A combined method of profound purification of Cd, Zn and Te developed by the Authors and allowing
узнать больше
2023.1.17 Рассмотрены проблемы производства порошков теллурида кадмия заданных чистоты и гранулометрического состава, предназначенных для
узнать больше
2023.1.1 Развитие методов подготовки поверхности теллурида кадмия–ртути (КРТ, HgCdTe) является актуальной задачей в ...
узнать больше
Теллурид кадмия, сосуществующий в покрытии с аморфизованным твердым раствором теллура в кадмии, имеет параметр решетки меньше табличной
узнать больше
Теллурид кадмия — химическое соединение кадмия и теллура. Прямозонный полупроводник группы A II B VI с шириной запрещённой зоны 1, 49 эВ при 300 K.
узнать больше
2023.1.24 Развитие методов подготовки поверхности теллурида кадмия—ртути (КРТ, HgCdTe) актуально в связи с широким спектром существующих и
узнать больше
Очистка сточных вод от ионов кадмия производится путем подщедачивания их до pH = 10,5. Образующиеся, мелкодисперсные частицы Cd(OH)2 могут быть выделены в
узнать больше
2014.5.30 заменой одного из атомов кадмия атомом теллура в 128-атомной сверхъячейке теллурида кадмия. Деформации модели были представлены варь
узнать больше
Пред. След. 7.3 Теллурид кадмия (CdTe) Теллурид кадмия имеет благоприятную для эффективного преобразования солнечного излучения ширину запрещенной зоны
узнать больше
Сущность изобретения: для удаления с поверхности теллурида кадмия и ртути кластеров ртути образец полупроводника перед обработкой в вакууме помещают в сосуд, заполненный водородом и экспонируют в нем при комнатной ...
узнать больше
Хлорид кадмия / хлорид магния Изготовление элемента CdTe включает тонкое покрытие хлоридом кадмия ( CdCl 2) для увеличения общей эффективности ячейки.
узнать больше
След. 7.3 Теллурид кадмия (CdTe) Теллурид кадмия имеет благоприятную для эффективного преобразования солнечного излучения ширину запрещенной зоны (1,44 эВ) и относится к полупроводникам с ...
узнать больше
2023.11.27 Описание продукта Особенности теллурида кадмия: Теллурид кадмия представляет собой кристаллическое соединение, образованное из кадмия и теллура.Он зажат Производитель слитков HoFe из гольмиевого железного сплава
узнать больше
2010.4.1 Взаимодействие дефектов в кристаллической решетке теллурида кадмия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Илащук, Мария Ивановна ...
узнать больше
Теллурид кадмия — химическое соединение кадмия и теллура. Прямозонный полупроводник группы A II B VI с шириной запрещённой зоны 1, 49 эВ при 300 K. Используется для создания солнечных батарей ...
узнать больше
2023.1.24 Развитие методов подготовки поверхности теллурида кадмия—ртути (КРТ, HgCdTe) актуально в связи с широким спектром существующих и потенциальных применений этого материала в фотоэлектронике.
узнать больше
2019.5.29 Команда CSU заявила о кардинальном прорыве в области тонкопленочных солнечных батарей из теллурида кадмия, но их улучшение продвинулось еще дальше благодаря другому материалу – селену. Результат исследований был ...
узнать больше
2000.6.27 Сущность изобретения: для удаления с поверхности теллурида кадмия и ртути кластеров ртути образец полупроводника перед обработкой в вакууме помещают в сосуд, заполненный водородом и экспонируют в нем при комнатной
узнать больше
2022.7.11 Монокристалл теллурида кадмия 6N 7N(Монокристалл CdTe или монокристалл CdTe) 99,9999% и 99,99999% в Western Minmetals (SC) Corporation может быть предложен в виде прутка и заготовки 5x5x0,5 мм, 10x10x0,5 м и диска диаметром 1,0
узнать больше
2013.3.21 Сущность изобретения: для удаления с поверхности теллурида кадмия и ртути кластеров ртути образец полупроводника перед обработкой в вакууме помещают в сосуд, заполненный водородом и экспонируют в нем при комнатной ...
узнать больше
Слой из теллурида кадмия подвергается тепловой обработке в присутствии хлорида кадмия при температуре 420°С ... с. 1212-1217 УДК 542.65.546.68 ГЛУБОКАЯ ОЧИСТКА ТЕЛЛУРА И КАДМИЯ МЕТОДАМИ ...
узнать больше
2023.11.27 SJ 20520-1995 Спецификация на срез теллурида кадмия-зина для использования пленки теллурида ртути ... MNOSZ 973-1950 Кристаллический цинк, очистка и промышленность Другие: Вафли из теллурида ...
узнать больше
ф О РАЗВИТИИ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГЕТИКИ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДв КАДМИЯ А. В. НАУМОВ, С. И. ПЛЕХАНОВ (ОАО "НПП КВАНТ") В настоящее время наряду с традиционными источниками энергии, такими, как
узнать больше
Книга (аналит. описание) Иванов, Ю. М. Исследование очистки теллурида кадмия / Ю. М. Иванов, Д ...
узнать больше
2016.4.20 Аризонская компания First Solar производит солнечные панели на основе теллурида кадмия и убеждена, что такие элементы гораздо эффективнее традиционных кремниевых превращают солнечные лучи в электричество. Недавно ...
узнать больше
Химические науки Физическая химия Физико-химические основы синтеза и глубокой очистки летучих соединений кремния, кадмия, теллура и цинка тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ
узнать больше2010.4.1 Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ
узнать больше
2020.3.22 нок теллурида кадмия была 220 10°С. Синтез проводился в вакууме 10-5 мм рт.ст. Для сублимации теллурида кадмия использовался ленточный танталовый испари-тель с рабочим объемом 10х12х15 мм 3
узнать больше
СОСТАВ ПОЛИРУЮЩЕГО ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ-ЦИНКА. Номер патента: RU 2574459. МПК C23F1/30. Авторы: Кашуба Алексей Сергеевич (RU), Лакманова Медина Рефатовна (RU), Погожева Анна Владимировна ...
узнать больше
На Рисунке 11.15 изображен фотоэлемент из теллурида кадмия стандартной конфигурации. Верхняя часть представляет собой стеклянную поверхность с нанесенной на нее прозрачной проводящей ...
узнать больше
Тонкие пленки теллурида кадмия, изготовленные командой ХСС в лаборатории, потребляют в 100 раз меньше материала, чем обычные кремниевые солнечные элементы. Ряды синяя солнечные модули, которые усеивают ландшафты и ...
узнать большеПри изучении образцов теллурида кадмия, подвергавшихся тепловому импульсному воздействию от 20 до 400 °С на ПЭМ иЕОЬ ивМ-7000Р, обнаружено незначительное присутствие структурных ...
узнать больше
Являясь одним из ведущих производителей и поставщиков теллурида кадмия 6n в Китае, мы тепло приветствуем вас купить теллурид кадмия 6n в наличии на нашем заводе. Все наши продукты отличаются высоким качеством и ...
узнать больше
Разработана, обоснована и опробована новая технологическая схема получения порошков теллурида кадмия с учетом преимуществ и недостатков используемой ранее технологии, проведены эксперименты, подтверждающие ...
узнать большеНа Рисунке 11.15 изображен фотоэлемент из теллурида кадмия стандартной конфигурации. Верхняя часть представляет собой стеклянную поверхность с нанесенной на нее прозрачной проводящей ...
узнать больше
11.5 Фотоэлементы из теллурида кадмия 11.5.1 Введение В теории, максимальный КПД фотоэлементов из теллурида кадмия имеет значение близкое к 25 %. Теллурид кадмия представляет собой ...
узнать больше
Мочалов, Георгий Михайлович. Физико-химические основы синтеза и глубокой очистки летучих соединений кремния, кадмия, теллура и цинка: дис. доктор технических наук: 02.00.04 - Физическая химия. Нижний Новгород. 2009. 364 с.
узнать больше2023.5.26 Способ пассивации поверхности теллурида кадмия-ртути. Номер патента: RU 2611211. МПК H01L31/18. Авторы: Головин Сергей Вадимович (RU), Кашуба Алексей Сергеевич (RU), GOLOVIN SERGEJ VADIMOVICH, KASHUBA ALEKSEJ SERGEEVICH, Golovin Sergej Vadimovich, Kashuba Aleksej Sergeevich. На ...
узнать больше
11.5.1 Введение. В теории, максимальный КПД фотоэлементов из теллурида кадмия имеет значение близкое к 25 %. Теллурид кадмия представляет собой материал с прямыми переходами и высоким ...
узнать большеузнать больше