ҮЙЛЧИЛГЭЭ
Дело клиента
Синтез. Безопасность. Нитрид галлия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN. При обычных условиях
узнать больше
Ga 2 O 3 + 2NH 3 → 2GaN + 3H 2 O. Применение нитрида галлия. Благодаря уникальному сочетанию свойств, таких как высокая теплопроводность, твердость,
узнать больше
Реактор 3N1x2 представляет собой вертикальный одноподложечный HVPE реактор, снабженный устройством для вращения подложки, и предназначенный для
узнать больше
2020.11.15 полученного галлия) – производство арсенида и нитрида галлия (GaAs, GaN), полупроводниковых материалов для сверхвысокочастотных
узнать больше
2017.1.1 Method of laser separation of the epitaxial film or the epitaxial film layer from the growth substrate of the epitaxial semiconductor structure (variations) (US9966296B2,
узнать больше
13 мая 2019. #наука. #КФН. 3974 просмотра. Нитриды галлия постепенно приходят на смену арсениду галлия: они позволяют получать более мощные приборы СВЧ
узнать больше
2022.4.25 Нитрид галлия идет на смену кремнию. 25.04.2022. В 2020 году готовый транзистор на основе гетероструктур нитрида галлия с улучшенными СВЧ
узнать больше
2019.9.9 Приводятся данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иного. Нитрид галлия — бинарное неорганическое химическое соединение
узнать больше
2020.12.14 ного оборудования для реализации ключевых техноло-гических операций при изготовлении СВЧ ЭКБ на основе нитрида галлия, созданного специалистами этой компа
узнать больше
2021.6.11 Быстрое зарядное устройство из нитрида галлия - это то, что в основе устройства быстрого зарядного устройства для смартфонов и ноутбуков используется микросхема полевых транзисторов на основе GaN, предлагаемая PAM-XIAMEN.
узнать больше
2023.10.31 Откройте для себя 7 лучших вариантов зарядных устройств на основе нитрида галлия. Оцените компактность конструкции, высокую скорость зарядки и передовые технологии. Найдите идеальное зарядное устройство GaN для ...
узнать больше
2020.6.17 Учитывая развитие СВЧ-направления в компании, НПК «Фотоника» также занимается оказанием услуг по поставкам и технической поддержке усилителей мощности на основе нитрида галлия в частотном диапазоне до 6 ГГц ...
узнать больше
2022.5.12 Да и в целом кристаллы нитрида галлия более устойчивы к воздействию экстремальных температур — они работоспособны при 300 °C с обычным воздушным охлаждением, тогда как предельная температура для кремниевых чипов не ...
узнать больше
Осенний детокс: какие добавки выбрать для очищения организма от токсинов Снижение потребления калорий подавляет воспалительные процессы в тканях
узнать больше
2023.12.12 С началом экономического кризиса в 2008-м спрос упал, цены снизились до 350–400 долл. / кг, однако в по-следующем ...
узнать больше
Данные преимущества определяют интенсивное развитие рынка устройств на основе гетероструктур нитрида галлия и стремительное вытеснение ими устройств на основе кремниевой МОП-технологии (металл–оксид ...
узнать больше2022.11.23 химическая и радиационная стойкость нитрида галлия позволяет использовать его для изготовления приборов, работающих при повышенных температурах и в неблагоприятных
узнать больше
Нитрид галлия: тип N, тип р и полуизолирующая подложку из нитрида галлия и шаблон или GaN эпите пластины для HEMT с низкой плотностью дефектов Марко и плотностью дислокаций для LED, LD или другого application.PAM-СЯМЫНЬ ...
узнать больше
2021.12.24 В области силовых переключающих транзисторов институтом разработаны приборы на основе нитрида галлия на кремнии c пробивным напряжением сток-исток от 100 до 450 В, постоянным током стока от 20 до 40 А и импульсным током ...
узнать больше
2020.11.15 86 ЭЛЕКТРОНИКА наука технология бизнес №4 (00118) 2012 86щнщыеы-т р-а- 86щзеисыозо electronics Moщные GaN-транзисторы ИстИнно революцИонная технологИя М.Гольцова Приборы на основе нитрида галлия не новы.
узнать больше
шаблон субстратов 2инч ГаН, вафля для ЛеД, семикондуктинг вафля для льд, шаблон ГаН нитрида галлия ГаН, вафля моквд ГаН, свободно стоящие субстраты подгонянным размером, небольшая вафля для СИД, вафля 10кс10мм ГаН ГаН ...
узнать больше
PDF On Feb 1, 2010, Philipp E. Latyshev and others published ПОДАВЛЕНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА НИТРИДА ГАЛЛИЯ ПРИ ХЛОРИД- ГИДРИДНОЙ ...
узнать больше
2020.11.15 щивания собственных подложек нитрида галлия для мощных СВЧ-транзисторов чаще всего используют подложки из чистого карбида кремния.
узнать больше
2011.12.27 Литература Туркин А. Н. Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современной оптоэлектронике // Компоненты и технологии. 2011. №5. Юнович А. Э. Светодиоды на основе гетероструктур из нитрида галлия и его ...
узнать больше
Эпитаксиальные структуры нитрида галлия в основном используются в СВЧ направлдении и в оптоэлектронике также благодаря своим высоким оптическим и электрическим характеристикам, таким как ширина запрещенной зоны ...
узнать больше
Для e2v, лидера на рынке полупроводников высокой надёжности, заключение этого договора – возможность стать эксклюзивным поставщиком 100- и 650-вольтовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) от GaN Systems.
узнать больше
2022.8.8 В России появится первое производство транзисторов на основе нитрида галлия Пост опубликован в блогах iXBT, его автор не имеет отношения к редакции iXBT
узнать больше
Представлен обзор перспективных разработок компании Microsemi в области мощных высокочастотных силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) . Таблица 3. GaN транзисторы Microsemi S диапазона.
узнать больше
Нитрид галлия сделает инверторы для солнечных электростанций легче с высокой степенью быстродействия С ростом значения солнечные электростанции должны отвечать все новым требованиям.
узнать больше
2019.4.21 OMMIC является одной из компаний, освоивших применение технологии на основе нитрида галлия на кремнии. OMMIC использует собственную технологию D01GH по выращиванию таких структур. Эта технология ...
узнать больше
Предложен и реализован уникальный метод формирования гетероструктур на основе нитрида галлия на подложках кремния при пониженных температурах роста (менее 950°С). Сформированная гетероструктура обладает атомарно ...
узнать больше
2020.11.15 на основе нитрида галлия И. Викулов Из всех типов сложных полупроводников наиболее эффективным ... Для преодоления зависимости Европы от поставок GaN СВЧ-компонентов из США Европейским ...
узнать больше
30 Вт Мини Двухпортовый адаптер для быстрой зарядки из нитрида галлия ( 0 Отзывы ) ₽.21 878.39 - ₽.36 464.51
узнать больше
2022.4.25 В 2020 году готовый транзистор на основе гетероструктур нитрида галлия с улучшенными СВЧ ...
узнать больше2023.2.28 Точка пересечения искажений третьего порядка для ИМС НМС994А равна 38 дБм. АЧХ аналогичного устройства, выполненного на основе технологии нитрида галлия, ИМС НМС8205BF10, приведена на рис. 6. Рис. 6.
узнать больше
2007.4.1 Уточнены процессы фононного рассеяния в кристаллах нитрида галлия и нитрида алюминия, что способствует решению проблемы улучшения тепловых свойств создаваемых на их основе устройств.
узнать больше
Компания также предлагает вольфрамовую печь для выращивания кристаллов нитрида алюминия (AlN) диаметром 2-4 дюйма. Печь может поставляться вместе с демонстрацией процесса выращивания 2 ...
узнать большеузнать больше